Фізичні властивості кремнієвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основі "глибокого" p–n-переходу / Козинець О. В., Литвиненк C. В., Скришевський В. А. (2017)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703686
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2017, Т. 62, № 4)

Козинець О. В., Литвиненк C. В., Скришевський В. А.
Фізичні властивості кремнієвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основі "глибокого" p–n-переходу

Бібліографічний опис:
Козинець О. В., Литвиненк C. В., Скришевський В. А. Фізичні властивості кремнієвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основі "глибокого" p–n-переходу. Український фізичний журнал. 2017. Т. 62, № 4. С. 318-325. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703686

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2017, 62 (4))

Kozynets O. V., Lytvynenk C. V., Skryshevskyi V. A.
Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction

Cite:
Kozynets, O. V., Lytvynenk, C. V., Skryshevskyi, V. A. (2017). Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction. Ukrainian Journal of Physics, 62 (4), 318-325. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703686 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна