Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction / Kozinetz A. V., Litvinenko S. V., Skryshevsky V. A. (2017)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703699
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2017, Vol. 62, № 4)

Kozinetz A. V., Litvinenko S. V., Skryshevsky V. A.
Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction

Cite:
Kozinetz, A. V., Litvinenko, S. V., Skryshevsky, V. A. (2017). Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction. Ukrainian journal of physics, 62 (4), 318-325. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703699

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна