Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions / Sukach A. V., Tetyorkin V. V., Tkachuk A. I. (2015)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714272
  Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2015, Vol. 18, № 3)

Sukach A. V., Tetyorkin V. V., Tkachuk A. I.
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions

Cite:
Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Tkachuk, A. I. (2015). Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 18 (3), 267-271. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714272

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна