інтернет-адреса сторінки:
http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714339
Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics 
А - 2019 /
Випуск (2015, Vol. 18, № 4)
Vlaskina S. I., Mishinova G. N., Vlaskin V. I., Rodionov V. E., Svechnikov G. S.
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
Cite:
Vlaskina, S. I., Mishinova, G. N., Vlaskin, V. I., Rodionov, V. E., Svechnikov, G. S. (2015). External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 18 (4), 448-451. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714339
PDF