Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods / Sukach A. V., Tetyorkin V. V., Tkachuk A. I. (2016)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714380
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2016, Vol. 19, № 3)

Sukach A. V., Tetyorkin V. V., Tkachuk A. I.
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods

Cite:
Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Tkachuk, A. I. (2016). Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 19 (3), 295-298. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714380

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна