Electronic structure of Ag8GeS6 / Bletskan D. I., Studenyak I. P., Vakulchak V. V., Lukach A. V. (2017)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714479
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2017, Vol. 20, № 1)

Bletskan D. I., Studenyak I. P., Vakulchak V. V., Lukach A. V.
Electronic structure of Ag8GeS6

Cite:
Bletskan, D. I., Studenyak, I. P., Vakulchak, V. V., Lukach, A. V. (2017). Electronic structure of Ag8GeS6. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 20 (1), 19-25. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714479

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна