інтернет-адреса сторінки:
http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714492
Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics 
А - 2019 /
Випуск (2017, Vol. 20, № 1)
Stariy S. V., Sukach A. V., Tetyorkin V. V., Yukhymchuk V. O., Stara T. R.
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
Cite:
Stariy, S. V., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Yukhymchuk, V. O., Stara, T. R. (2017). Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 20 (1), 105-109. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714492
PDF