Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation / Milenin G. V., Red'ko R. A. (2016)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714527
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2016, Vol. 19, № 1)

Milenin G. V., Red'ko R. A.
Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation

Cite:
Milenin, G. V., Redko, R. A. (2016). Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 19 (1), 14-22. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714527

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна