Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon / Neimash V., Dovbeshko G., Shepelyavyi P., Danko V., Melnyk V., Isaiev M., Kuzmich A. (2016)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000721082
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2016, Vol. 61, № 2)

Neimash V., Dovbeshko G., Shepelyavyi P., Danko V., Melnyk V., Isaiev M., Kuzmich A.
Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon

Cite:
Neimash, V., Dovbeshko, G., Shepelyavyi, P., Danko, V., Melnyk, V., Isaiev, M., Kuzmich, A. (2016). Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon. Ukrainian journal of physics, 61 (2), 143-149. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000721082

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна