Исследование рекомбинационных и электрических свойств кристаллов p-Si, облученных электронами / Пагава Т. А., Хочолава Д. З., Майсурадзе Н. И., Чхартишвили Л. С. (2012)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000724601
Український фізичний журнал   А - 2018 /  Випуск (2012, Т. 57, № 5)
Пагава Т. А., Хочолава Д. З., Майсурадзе Н. И., Чхартишвили Л. С.
Исследование рекомбинационных и электрических свойств кристаллов p-Si, облученных электронами
Бібліографічний опис:
Пагава Т. А., Хочолава Д. З., Майсурадзе Н. И., Чхартишвили Л. С. Исследование рекомбинационных и электрических свойств кристаллов p-Si, облученных электронами. Український фізичний журнал. 2012. Т. 57, № 5. С. 525-530. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000724601 |  Ukrainian Journal of Physics / Issue (2012, 57 (5))
Pagava T. A., Khocholava D. Z., Majsuradze N. I., Chkhartishvili L. S.
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
Cite:
Pagava, T. A., Khocholava, D. Z., Majsuradze, N. I., Chkhartishvili, L. S. (2012). Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons. Ukrainian Journal of Physics, 57 (5), 525-530. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000724601 [In Russian]. | |
|
|
PDF