Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений / Пагава Т. А., Беридзе М. Г., Майсурадзе Н. И., Чхартишвили Л. С., Каландадзе И. Г. (2013)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725578
Український фізичний журнал   А - 2018 /  Випуск (2013, Т. 58, № 8)
Пагава Т. А., Беридзе М. Г., Майсурадзе Н. И., Чхартишвили Л. С., Каландадзе И. Г.
Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
Бібліографічний опис:
Пагава Т. А., Беридзе М. Г., Майсурадзе Н. И., Чхартишвили Л. С., Каландадзе И. Г. Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений. Український фізичний журнал. 2013. Т. 58, № 8. С. 775-781. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725578 |  Ukrainian Journal of Physics / Issue (2013, 58 (8))
Pagava T. A., Beridze M. G., Majsuradze N. I., Chkhartishvili L. S., Kalandadze I. G.
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
Cite:
Pagava, T. A., Beridze, M. G., Majsuradze, N. I., Chkhartishvili, L. S., Kalandadze, I. G. (2013). Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals. Ukrainian Journal of Physics, 58 (8), 775-781. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725578 [In Russian]. | |
|
|
PDF