Залежність енергії екситонних переходів у наноплівках AlxGa1–xAs/GaAs/ AlxGa1–xAs від товщини, концентрації та температури / Кондрюк Д. В., Крамар В. М. (2015)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000729043
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2015, Т. 60, № 5)

Кондрюк Д. В., Крамар В. М.
Залежність енергії екситонних переходів у наноплівках AlxGa1–xAs/GaAs/ AlxGa1–xAs від товщини, концентрації та температури

Бібліографічний опис:
Кондрюк Д. В., Крамар В. М. Залежність енергії екситонних переходів у наноплівках AlxGa1–xAs/GaAs/ AlxGa1–xAs від товщини, концентрації та температури. Український фізичний журнал. 2015. Т. 60, № 5. С. 460-469. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000729043

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2015, 60 (5))

Kondriuk D. V., Kramar V. M.
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms

Cite:
Kondriuk, D. V., Kramar, V. M. (2015). Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms. Ukrainian Journal of Physics, 60 (5), 460-469. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000729043 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна