Дослідження рекомбінаційних параметрів сонячного кремнію методом спектроскопії поверхневої фото-ерс / Литовченко В. Г. (2015)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730576
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2015, Т. 60, № 10)

Литовченко В. Г.
Дослідження рекомбінаційних параметрів сонячного кремнію методом спектроскопії поверхневої фото-ерс

Бібліографічний опис:
Литовченко В. Г.  Дослідження рекомбінаційних параметрів сонячного кремнію методом спектроскопії поверхневої фото-ерс. Український фізичний журнал. 2015. Т. 60, № 10. С. 1037-1042. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730576

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2015, 60 (10))

Lytovchenko V. H.
Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters

Cite:
Lytovchenko, V. H. (2015). Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters. Ukrainian Journal of Physics, 60 (10), 1037-1042. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730576 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна