Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal / Gaidar G. P., Baranskii P. I. (2016)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000734001
  Journal of thermoelectricity    В - 2017  /     Випуск (2016, № 4)

Gaidar G. P., Baranskii P. I.
Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal

Cite:
Gaidar, G. P., Baranskii, P. I. (2016). Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal. Journal of thermoelectricity, 4, 5-12. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000734001

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна