Development of thermoelectric devices based on n-type PbTe/p-type TAGS-85 ((AgSbTe2)0.15(GeTe)0.85) and n/p-type Si-Ge alloy / Basu R., Bhattacharya S., Bhatt R., Meshram K. N., Singh A., Aswal D. K., Gupta S. K. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000753609
  Journal of thermoelectricity    В - 2017  /     Випуск (2012, № 3)

Basu R., Bhattacharya S., Bhatt R., Meshram K. N., Singh A., Aswal D. K., Gupta S. K.
Development of thermoelectric devices based on n-type PbTe/p-type TAGS-85 ((AgSbTe2)0.15(GeTe)0.85) and n/p-type Si-Ge alloy

Cite:
Basu, R., Bhattacharya, S., Bhatt, R., Meshram, K. N., Singh, A., Aswal, D. K., Gupta, S. K. (2012). Development of thermoelectric devices based on n-type PbTe/p-type TAGS-85 ((AgSbTe2)0.15(GeTe)0.85) and n/p-type Si-Ge alloy. Journal of thermoelectricity, 3, 32-38. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000753609

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна