Анизотропия термоЭДС захвата электронов фононами в n-Ge / Баранский П. И., Гайдар Г. П. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000753928
  Термоэлектричество    В - 2017  /     Випуск (2012, № 2)

Баранский П. И., Гайдар Г. П.
Анизотропия термоЭДС захвата электронов фононами в n-Ge

Бібліографічний опис:
Баранский П. И., Гайдар Г. П. Анизотропия термоЭДС захвата электронов фононами в n-Ge. Термоэлектричество. 2012. № 2. С. 31-41. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000753928

English  Journal of Thermoelectricity   /     Issue (2012, 2)

translit Transliteration

Baranskij P. I., Gajdar G. P.
Anizotropija termoEDS zakhvata elektronov fononami v n-Ge

Cite:
Baranskij, P. I., Gajdar, G. P. (2012). Anizotropija termoEDS zakhvata elektronov fononami v n-Ge. Journal of Thermoelectricity, 2, 31-41 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000753928 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна