Теория анизотропного рассеяния и актуальные задачи кинетики электронных процессов в многодолинных полупроводниках / Баранский П. И., Гайдар Г. П. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000756012
  Термоэлектричество    В - 2017  /     Випуск (2013, № 2)

Баранский П. И., Гайдар Г. П.
Теория анизотропного рассеяния и актуальные задачи кинетики электронных процессов в многодолинных полупроводниках

Бібліографічний опис:
Баранский П. И., Гайдар Г. П. Теория анизотропного рассеяния и актуальные задачи кинетики электронных процессов в многодолинных полупроводниках. Термоэлектричество. 2013. № 2. С. 20-31. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000756012

English  Journal of Thermoelectricity   /     Issue (2013, 2)

translit Transliteration

Baranskij P. I., Gajdar G. P.
Teorija anizotropnogo rassejanija i aktualnye zadachi kinetiki elektronnykh protsessov v mnogodolinnykh poluprovodnikakh

Cite:
Baranskij, P. I., Gajdar, G. P. (2013). Teorija anizotropnogo rassejanija i aktualnye zadachi kinetiki elektronnykh protsessov v mnogodolinnykh poluprovodnikakh. Journal of Thermoelectricity, 2, 20-31 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000756012 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна