Концентрационные зависимости параметра анизотропии подвижности K = μ⊥/μ|| и параметра анизотропии термоэдс увлечения электронов фононами M = α||ф/α⊥ф В n-Ge и n-Si / Гайдар Г. П., Баранский П. И. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000757744
  Термоэлектричество    В - 2017  /     Випуск (2014, № 5)

Гайдар Г. П., Баранский П. И.
Концентрационные зависимости параметра анизотропии подвижности K = μ⊥/μ|| и параметра анизотропии термоэдс увлечения электронов фононами M = α||ф/α⊥ф В n-Ge и n-Si

Бібліографічний опис:
Гайдар Г. П., Баранский П. И. Концентрационные зависимости параметра анизотропии подвижности K = μ⊥/μ|| и параметра анизотропии термоэдс увлечения электронов фононами M = α||ф/α⊥ф В n-Ge и n-Si. Термоэлектричество. 2014. № 5. С. 22-30. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000757744

English  Journal of Thermoelectricity   /     Issue (2014, 5)

translit Transliteration

Gajdar G. P., Baranskij P. I.
Kontsentratsionnye zavisimosti parametra anizotropii podvizhnosti K = μ⊥/μ|| i parametra anizotropii termoeds uvlechenija elektronov fononami M = α||f/α⊥f V n-Ge i n-Si

Cite:
Gajdar, G. P., Baranskij, P. I. (2014). Kontsentratsionnye zavisimosti parametra anizotropii podvizhnosti K = μ⊥/μ|| i parametra anizotropii termoeds uvlechenija elektronov fononami M = α||f/α⊥f V n-Ge i n-Si. Journal of Thermoelectricity, 5, 22-30 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000757744 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна