Вплив змін дефектних станів на властивості фотокатода Si–Gd–O / Мельник П. В., Находкін М. Г., Федорченко М. І. (2017)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000774523
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2017, Т. 62, № 8)

Мельник П. В., Находкін М. Г., Федорченко М. І.
Вплив змін дефектних станів на властивості фотокатода Si–Gd–O

Бібліографічний опис:
Мельник П. В., Находкін М. Г., Федорченко М. І. Вплив змін дефектних станів на властивості фотокатода Si–Gd–O. Український фізичний журнал. 2017. Т. 62, № 8. С. 688-694. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000774523

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2017, 62 (8))

Melnyk P. V., Nakhodkin M. H., Fedorchenko M. I.
Influence of changes in defect states on the properties of Si–Gd–O photocathode

Cite:
Melnyk, P. V., Nakhodkin, M. H., Fedorchenko, M. I. (2017). Influence of changes in defect states on the properties of Si–Gd–O photocathode. Ukrainian Journal of Physics, 62 (8), 688-694. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000774523 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна