New ZnO/Au/ZnO multilayer field effect transistor with extended gate as a sensing membrane / Rasheed H. S., Ahmed Naser M., Matjafri M. Z. (2017)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000774524
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2017, Т. 62, № 8)

Rasheed H. S., Ahmed Naser M., Matjafri M. Z.
New ZnO/Au/ZnO multilayer field effect transistor with extended gate as a sensing membrane

Cite:
Rasheed, H. S., Ahmed Naser, M., Matjafri, M. Z. (2017). New ZnO/Au/ZnO multilayer field effect transistor with extended gate as a sensing membrane. Ukrainian Journal of Physics, 62 (8), 695-700. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000774524

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна