Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence / Vlaskina S. I., Mishinova G. N., Vlaskin V. I., Rodionov V. E., Svechnikov G. S. (2017)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000778513
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2017, Vol. 20, № 3)

Vlaskina S. I., Mishinova G. N., Vlaskin V. I., Rodionov V. E., Svechnikov G. S.
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence

Cite:
Vlaskina, S. I., Mishinova, G. N., Vlaskin, V. I., Rodionov, V. E., Svechnikov, G. S. (2017). Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 20 (3), 344-348. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000778513

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна