Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures / Karachevtseva L. A., Onyshchenko V. F., Sachenko A. V. (2017)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000806887
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2017, Vol. 20, № 4)

Karachevtseva L. A., Onyshchenko V. F., Sachenko A. V.
Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures

Cite:
Karachevtseva, L. A., Onyshchenko, V. F., Sachenko, A. V. (2017). Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 20 (4), 475-480. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000806887

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна