Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс / Потоцька В. В., Гічан О. І., Скриптун І. М., Омельчук А. О. (2018)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000816323
  Доповіді Національної академії наук України   Б - 2019  /     Випуск (2018, № 1)

Потоцька В. В., Гічан О. І., Скриптун І. М., Омельчук А. О.
Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс

Бібліографічний опис:
Потоцька В. В., Гічан О. І., Скриптун І. М., Омельчук А. О. Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс. Доповіді Національної академії наук України. 2018. № 1. С. 34-42. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000816323

English  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    /     Issue (2018, 1)

Pototska V. V., Hichan O. I., Skryptun I. M., Omelchuk A. O.
Influence of a near-electrode layer thickness on the diffusion impedance

Cite:
Pototska, V. V., Hichan, O. I., Skryptun, I. M., Omelchuk, A. O. (2018). Influence of a near-electrode layer thickness on the diffusion impedance. Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine , 1, 34-42. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000816323 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна