Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Гайдар Г. П., Баранський П. І. (2017)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000819841
  Доповіді Національної академії наук України   Б - 2019  /     Випуск (2017, № 5)

Гайдар Г. П., Баранський П. І.
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si

Бібліографічний опис:
Гайдар Г. П., Баранський П. І. Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si. Доповіді Національної академії наук України. 2017. № 5. С. 45-50. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000819841

English  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    /     Issue (2017, 5)

Haidar H. P., Baranskyi P. I.
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals

Cite:
Haidar, H. P., Baranskyi, P. I. (2017). Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals. Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine , 5, 45-50. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000819841 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна