Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе / Йулдашев Х. Т., Ахмедов Ш. С., Рустамов У. С., Эргашев К. М. (2017)
Ukrainian

English  Journal of Surface Physics and Engineering   /     Issue (2017, 2 (1))

Juldashev Kh. T., Akhmedov Sh. S., Rustamov U. S., Ergashev K. M.
Study of background radiation and its possibility limitations in the semiconductor ionization system


Cite:
Juldashev, Kh. T., Akhmedov, Sh. S., Rustamov, U. S., Ergashev, K. M. (2017). Study of background radiation and its possibility limitations in the semiconductor ionization system. Journal of Surface Physics and Engineering, 2 (1), 44-48. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000838918 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна