Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе / Йулдашев Х. Т., Ахмедов Ш. С., Рустамов У. С., Эргашев К. М. (2017)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000838918
  Журнал фізики та інженерії поверхні   /     Випуск (2017, Т. 2, № 1)

Йулдашев Х. Т., Ахмедов Ш. С., Рустамов У. С., Эргашев К. М.
Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе

Бібліографічний опис:
Йулдашев Х. Т., Ахмедов Ш. С., Рустамов У. С., Эргашев К. М. Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе. Журнал фізики та інженерії поверхні. 2017. Т. 2, № 1. С. 44-48. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000838918

English  Zhurnal fizyky ta inzhenerii poverkhni   /     Issue (2017, 2 (1))

Juldashev Kh. T., Akhmedov Sh. S., Rustamov U. S., Ergashev K. M.
Study of background radiation and its possibility limitations in the semiconductor ionization system

Cite:
Juldashev, Kh. T., Akhmedov, Sh. S., Rustamov, U. S., Ergashev, K. M. (2017). Study of background radiation and its possibility limitations in the semiconductor ionization system. Zhurnal fizyky ta inzhenerii poverkhni, 2 (1), 44-48. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000838918 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна