Журнал фізики та інженерії поверхні. 2017, 2 (1) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Журнал фізики та інженерії поверхні
2017. Вип. 1 |
- Титул.
- Зміст.
- Іващишин Ф. О., Григорчак І. І., Матулка Д. В. Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSeCH4N2S, InSeFeSO4 та InSeCH4N2SFeSO4. - C. 4-11.
- Йулдашев Х. Т., Ахмедов Ш. С., Хайдаров З. Исследование инфракрасной фотографической системы на основе кремния, легированного платиной. - C. 12-16.
- Конотопский Л. Е., Копылец И. А., Севрюкова В. А., Зубарев Е. Н., Мамон В. В., Кондратенко В. В. Рост, структура и оптические свойства многослойных рентгеновских зеркал W/Mg2Si. - C. 17-25.
- Жураев Н., Халилов М., Отажонов С., Алимов Н. Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si с глубокими примесными уровнями. - C. 26-29.
- Сейдаметов С. В., Лоскутов С. В., Щетинина М. О. Влияние электрического потенциала на процесс деформирования алюминия в условиях испытаний кинетическим индентированием. - C. 30-34.
- Базалеев Н. И., Донец С. Е., Клепиков В. Ф., Литвиненко В. В., Лонин Ю. Ф., Пономарев А. Г., Уваров В. Т. Ударно-защитные поверхности алюминиевых сплавов, модифицированных сильноточным релятивистским электронным пучком. - C. 35-40.
- Тетелошвили М. Г., Джабуа З. У., Гигинеишвили А. В. Приготовление тонких пленок TmS и их электрофизические свойства. - C. 41-43.
- Йулдашев Х. Т., Ахмедов Ш. С., Рустамов У. С., Эргашев К. М. Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе. - C. 44-48.
- Григорчак І. І., Іващишин Ф. О., Кулик Ю. О., Григорчак О. І. Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення. - C. 49-58.
- Зайцев Р. В. Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки. - C. 59-64.
- Правила оформлення рукописів. - C. 65-67.
|
|
