Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего электрического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровням / Акбаров К., Абдулхамидов А., Алимов Н., Отажонов С. М., Умарова М. (2008)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000867762
Фізична інженерія поверхні /  Випуск (2008, Т. 6, № 1-2)
Акбаров К., Абдулхамидов А., Алимов Н., Отажонов С. М., Умарова М.
Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего электрического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровням
Бібліографічний опис:
Акбаров К., Абдулхамидов А., Алимов Н., Отажонов С. М., Умарова М. Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего электрического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровням. Фізична інженерія поверхні. 2008. Т. 6, № 1-2. С. 58-60. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000867762 |  Physical surface engineering / Issue (2008, 6 (1-2))
Akbarov K., Abdulkhamidov A., Alimov N., Otazhonov S. M., Umarova M.
Stimulation anomalous photoresistance under action external electric field in nanocrystalline structure CdTe-ZnSe with deep impurity levels
Cite:
Akbarov, K., Abdulkhamidov, A., Alimov, N., Otazhonov, S. M., Umarova, M. (2008). Stimulation anomalous photoresistance under action external electric field in nanocrystalline structure CdTe-ZnSe with deep impurity levels. Physical surface engineering, 6 (1-2), 58-60. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000867762 [In Russian]. | |
|
|
PDF