Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Комаров Ф. Ф., Мильчанин О. В., Миронов А. М., Купчишин А. И. (2008)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872884
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2008, Т. 6, № 3-4)

Комаров Ф. Ф., Мильчанин О. В., Миронов А. М., Купчишин А. И.
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий

Бібліографічний опис:
Комаров Ф. Ф., Мильчанин О. В., Миронов А. М., Купчишин А. И. Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий. Фізична інженерія поверхні. 2008. Т. 6, № 3-4. С. 142-150 . URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872884

English  Physical surface engineering   /     Issue (2008, 6 (3-4))

Komarov F. F., Milchanin O. V., Mironov A. M., Kupchishin A. I.
The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation

Cite:
Komarov, F. F., Milchanin, O. V., Mironov, A. M., Kupchishin, A. I. (2008). The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation. Physical surface engineering, 6 (3-4), 142-150 . http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872884 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна