Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения / Стервоедов А. Н. (2009)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872972
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2009, Т. 7, № 3)

Стервоедов А. Н.
Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения

Бібліографічний опис:
Стервоедов А. Н.  Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения. Фізична інженерія поверхні. 2009. Т. 7, № 3. С. 210-215. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872972

English  Physical surface engineering   /     Issue (2009, 7 (3))

Stervoedov A. N.
Distribution of chemical composition depth in Cr-O-N films obtained by the method ion-stimulated deposition

Cite:
Stervoedov, A. N. (2009). Distribution of chemical composition depth in Cr-O-N films obtained by the method ion-stimulated deposition. Physical surface engineering, 7 (3), 210-215. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872972 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна