Фізична інженерія поверхні. 2009, 7 (3) АРХІВ (Всі випуски)
| Фізична інженерія поверхні 2009. Вип. 3 |
- Титул.
- Зміст.
- Фаренік В. І. Малоенергоємні плазмові технологічні системи з розрядами у комбінованих електричному та магнітному полях. - C. 166-170.
- Дудин С. В. Исследования и разработка технологических систем на базе ВЧ индукционного разряда для реактивного ионно-плазменного травления микро- и наноструктур. - C. 171-194.
- Зиков О. В., Яковін С. Д., Дудін С. В. Синтез діелектричних сполук на базі магнетрону постійного струму. - C. 195-203.
- Лисовский В. А., Харченко Н. Д. Радиальная структура продольного комбинированного разряда в SF6. - C. 204-209.
- Стервоедов А. Н. Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения. - C. 210-215.
- Белоус В. А., Васильев В. В., Лучанинов А. А., Решетняк Е. Н., Стрельницкий В. Е., Толмачева Г. Н., Голтвяница В. С., Голтвяница С. К. Твердые покрытия Ti-Al-N, осажденные из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы. - C. 216-222.
- Хороших В. М., Белоус В. А. Пленки диоксида титана для фотокатализа и медицины. - C. 223-238.
- Погребняк А. Д., Береснев В. М., Levintant N., Маликов Л. В., Братушка С. Н., Ердыбаева Н. К. Cтруктурно-фазовые изменения в приповерхностных слоях титанового сплава TiNi, после ионной имплантации. - C. 239-243.
- Долгов А. С., Стеценко Н. В. Релаксационные перестройки моноатомных слоев на поверхности. - C. 244-251.
- Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Камонов Б. М., Якубов Э. Н. Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи. - C. 252-255.
- Ткач О. П., Однодворець Л. В., Непийко С., Проценко С. І. Магніторезистивні властивості нанорозмірних плівкових систем на основі Fe і Pd. - C. 256-261.
- Тюрин Ю. Н., Кульков С. Н., Колисниченко О. В., Дуда И. М. Импульсно-плазменное модифицирование поверхности изделия из сплава WC + 20%Cо. - C. 262-267.
- Хороших В. М., Леонов С. А. О характере влияния различных газов на процесс конденсации покрытий из плазмы вакуумной дуги. - C. 268-272.
- Азаренков Н. А., Орлов В. Д., Слипченко Н. И., Удовицкий В. Г., Фареник В. И. Обучение и подготовка кадров в области нанотехнологий и использование при этом научного наследия. - C. 273-280.
- Правила оформления рукописей. - C. 281-283.
|
|