| 
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения / Абдулхаев О. А., Гиясова Ф. А., Ёдгорова Д. М., Каманов Б. М., Каримов А. В. (2012) 
| 
 інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906924 Фізична інженерія поверхні
    /      Випуск (2012,  Т. 10, № 2) 
 Абдулхаев О. А., Гиясова Ф. А., Ёдгорова Д. М., Каманов Б. М., Каримов А. В.Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
 
 
 Бібліографічний опис:Абдулхаев О. А., Гиясова Ф. А., Ёдгорова Д. М., Каманов Б. М., Каримов А. В. Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения. Фізична інженерія поверхні. 2012.  Т. 10, № 2. С. 230-235. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906924
 |  |  Physical surface engineering   /  Issue (2012, 10 (2)) 
 Abdulkhaev O. A., Gijasova F. A., Jodgorova D. M., Kamanov B. M., Karimov A. V.Functional characteristics of the field-effect transistor with control pn-junction with different switching modes
 
 Cite:Abdulkhaev, O. A., Gijasova, F. A., Jodgorova, D. M., Kamanov, B. M., Karimov, A. V. (2012). Functional characteristics of the field-effect transistor with control pn-junction with different switching modes. Physical surface engineering, 10 (2), 230-235. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906924 [In Russian].
 |  |  |  |