Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC / Shanina B. D., Bratus V. Ya. (2018)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923033
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2018, Vol. 21, № 3)

Shanina B. D., Bratus V. Ya.
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC

Cite:
Shanina, B. D., Bratus, V. Ya. (2018). Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC . Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 21 (3), 225-230. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923033

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна