Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments / Savchenko D. V., Kalabukhova E. N., Shanina B. D., Bagraev N. T., Klyachkin L. E., Malyarenko A. M., Khromov V. S. (2018)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923036
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2018, Vol. 21, № 3)

Savchenko D. V., Kalabukhova E. N., Shanina B. D., Bagraev N. T., Klyachkin L. E., Malyarenko A. M., Khromov V. S.
Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments

Cite:
Savchenko, D. V., Kalabukhova, E. N., Shanina, B. D., Bagraev, N. T., Klyachkin, L. E., Malyarenko, A. M., Khromov, V. S. (2018). Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 21 (3), 249-255. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923036

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна