Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells / Vinoslavskii M. M., Belevskii P. A., Poroshin V. M., Pilipchuk O. S., Kochelap V. O. (2018)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923037
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2018, Vol. 21, № 3)

Vinoslavskii M. M., Belevskii P. A., Poroshin V. M., Pilipchuk O. S., Kochelap V. O.
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells

Cite:
Vinoslavskii, M. M., Belevskii, P. A., Poroshin, V. M., Pilipchuk, O. S., Kochelap, V. O. (2018). Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 21 (3), 256-262. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923037

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна