Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution / Pashchenko G. A., Kravetskyi M. Yu., Trishchuk L. I. (2018)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923040
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2018, Vol. 21, № 3)

Pashchenko G. A., Kravetskyi M. Yu., Trishchuk L. I.
Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution

Cite:
Pashchenko, G. A., Kravetskyi, M. Yu., Trishchuk, L. I. (2018). Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 21 (3), 277-281. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923040

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна