Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields / Syngaivska G. I., Koroteev V. V., Kochelap V. A. (2018)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941353
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2018, Vol. 21, № 4)

Syngaivska G. I., Koroteev V. V., Kochelap V. A.
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields

Cite:
Syngaivska, G. I., Koroteev, V. V., Kochelap, V. A. (2018). Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 21 (4), 325-335. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941353

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна