Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient modified semiconductor structures / Yurkovych N. V., Mar'yan M. I., Seben V. (2018)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941357
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2018, Vol. 21, № 4)

Yurkovych N. V., Mar'yan M. I., Seben V.
Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient modified semiconductor structures

Cite:
Yurkovych, N. V., Maryan, M. I., Seben, V. (2018). Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient modified semiconductor structures. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 21 (4), 365-373. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941357

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна