2D semiconductor structures as a basis for new high-tech devices / Korbutyak D. V., Lytovchenko V. G., Strikha M. V. (2018)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941359
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2018, Vol. 21, № 4)

Korbutyak D. V., Lytovchenko V. G., Strikha M. V.
2D semiconductor structures as a basis for new high-tech devices

Cite:
Korbutyak, D. V., Lytovchenko, V. G., Strikha, M. V. (2018). 2D semiconductor structures as a basis for new high-tech devices. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 21 (4), 380-386. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941359

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна