Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si / Солован М. М., Мар'янчук П. Д. (2019)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000998405
  Радіофізика та електроніка   Б - 2020  /     Випуск (2019, Т. 24, № 2)

Солован М. М., Мар'янчук П. Д.
Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si

Бібліографічний опис:
Солован М. М., Мар'янчук П. Д. Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si. Радіофізика та електроніка. 2019. Т. 24, № 2. С. 49-56. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000998405

English  Radiophysics and Electronics   /     Issue (2019, 24 (2))

Solovan M. M., Marianchuk P. D.
Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si

Cite:
Solovan, M. M., Marianchuk, P. D. (2019). Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si. Radiophysics and Electronics, 24 (2), 49-56. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000998405 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна