Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes / Latreche A. (2019)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001000431
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2019, Vol. 22, № 1)

Latreche A.
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes

Cite:
Latreche, A. (2019). Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 22 (1), 19-25. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001000431

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна