Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes / Romanets P. M., Konakova R. V., Boltovets M. S., Basanets V. V., Kudryk Ya. Ya., Slipokurov V. S. (2019)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001000433
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2019, Vol. 22, № 1)

Romanets P. M., Konakova R. V., Boltovets M. S., Basanets V. V., Kudryk Ya. Ya., Slipokurov V. S.
Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes

Cite:
Romanets, P. M., Konakova, R. V., Boltovets, M. S., Basanets, V. V., Kudryk, Ya. Ya., Slipokurov, V. S. (2019). Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 22 (1), 34-38. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001000433

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна