HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / Gudina S. V., Arapov Yu. G., Neverov V. N., Podgornykh S. M., Popov M. R., Deriushkina E. V., Shelushinina N. G., Yakunin M. V., Mikhailov N. N., Dvoretsky S. A. (2019)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001012121
Фізика низьких температур   А - 2019 /  Випуск (2019, Т. 45, № 4)
Gudina S. V., Arapov Yu. G., Neverov V. N., Podgornykh S. M., Popov M. R., Deriushkina E. V., Shelushinina N. G., Yakunin M. V., Mikhailov N. N., Dvoretsky S. A.
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
Cite:
Gudina, S. V., Arapov, Yu. G., Neverov, V. N., Podgornykh, S. M., Popov, M. R., Deriushkina, E. V., Shelushinina, N. G., Yakunin, M. V., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. (2019). HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential. Low Temperature Physics, 45 (4), 476-483. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001012121 | |
|
|
PDF