Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe / Цибрій З. Ф. (2019)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001032435
  Доповіді Національної академії наук України   Б - 2019  /     Випуск (2019, № 9)

Цибрій З. Ф.
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe

Бібліографічний опис:
Цибрій З. Ф.  Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe. Доповіді Національної академії наук України. 2019. № 9. С. 34-. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001032435

English  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    /     Issue (2019, 9)

Tsybrii Z. F.
Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers

Cite:
Tsybrii, Z. F. (2019). Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers. Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine , 9, 34-. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001032435 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна