Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure / Sapaev I. B., Sapaev B., Babajanov D. B. (2019)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001073622
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2019, Vol. 22, № 2)

Sapaev I. B., Sapaev B., Babajanov D. B.
Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure

Cite:
Sapaev, I. B., Sapaev, B., Babajanov, D. B. (2019). Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 22 (2), 188-192. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001073622

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна