Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії / Онищенко В. Ф., Карась М. І. (2018)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074352
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2018, Вып. 53)

Онищенко В. Ф., Карась М. І.
Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії

Бібліографічний опис:
Онищенко В. Ф., Карась М. І. Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2018. Вып. 53. С. 248-253. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074352

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2018, 53)

Onyshchenko V. F., Karas M. I.
Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon

Cite:
Onyshchenko, V. F., Karas, M. I. (2018). Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 53, 248-253. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074352 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна