Формирование полированной поверхности полупроводниковых пластин PbTe И Pb1–XSnXTe / Маланич Г. П., Томашик В. Н. (2018)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074353
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2018, Вып. 53)

Маланич Г. П., Томашик В. Н.
Формирование полированной поверхности полупроводниковых пластин PbTe И Pb1–XSnXTe

Бібліографічний опис:
Маланич Г. П., Томашик В. Н. Формирование полированной поверхности полупроводниковых пластин PbTe И Pb1–XSnXTe. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2018. Вып. 53. С. 254-260. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074353

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2018, 53)

Malanich G. P., Tomashik V. N.
Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates PbTe y Pb1–xSnxTe

Cite:
Malanich, G. P., Tomashik, V. N. (2018). Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates PbTe y Pb1–xSnxTe. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 53, 254-260. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074353 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна