Новый тетрагональный термоэлектрический материал HfSiSb типа d2/d0, полугейслерово соединение: метод полного потенциала линеаризованных присоединенных плоских волн / Йоши Х., Раи Д. П., Делигоз Е., Озисик Х. Б., Тхапа Р. К. (2017)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001095537
Термоэлектричество  В - 2017 /  Випуск (2017, № 3)
Йоши Х., Раи Д. П., Делигоз Е., Озисик Х. Б., Тхапа Р. К.
Новый тетрагональный термоэлектрический материал HfSiSb типа d2/d0, полугейслерово соединение: метод полного потенциала линеаризованных присоединенных плоских волн
Бібліографічний опис:
Йоши Х., Раи Д. П., Делигоз Е., Озисик Х. Б., Тхапа Р. К. Новый тетрагональный термоэлектрический материал HfSiSb типа d2/d0, полугейслерово соединение: метод полного потенциала линеаризованных присоединенных плоских волн. Термоэлектричество. 2017. № 3. С. 24-32. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001095537 |  Journal of Thermoelectricity / Issue (2017, 3)
Joshi Kh., Rai D. P., Deligoz E., Ozisik Kh. B., Tkhapa R. K.
A new d2/do type tetragonal thermoelectric material hfsisb, a half-heusler compound: a fp-lapw method
Cite:
Joshi, Kh., Rai, D. P., Deligoz, E., Ozisik, Kh. B., Tkhapa, R. K. (2017). A new d2/do type tetragonal thermoelectric material hfsisb, a half-heusler compound: a fp-lapw method. Journal of Thermoelectricity, 3, 24-32. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001095537 [In Russian]. | |
|
|
PDF