Interaction of chalcogenide As4Se96 films with electron beam when used as electronic resists / Bilanych B. V., Shylenko O., Latyshev V. M., Feher A., Bilanych V. S., Rizak V. M., Komanicky V. (2020)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001127980
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2020, Т. 65, № 3)

Bilanych B. V., Shylenko O., Latyshev V. M., Feher A., Bilanych V. S., Rizak V. M., Komanicky V.
Interaction of chalcogenide As4Se96 films with electron beam when used as electronic resists

Cite:
Bilanych, B. V., Shylenko, O., Latyshev, V. M., Feher, A., Bilanych, V. S., Rizak, V. M., Komanicky, V. (2020). Interaction of chalcogenide As4Se96 films with electron beam when used as electronic resists. Ukrainian Journal of Physics, 65 (3), 245-251. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001127980

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна