Особливість релаксації поверхневої фотопровідності в структурах макропористого кремнію у видимій області спектра / Карась М. І., Карачевцева Л. А., Онищенко В. Ф. (2020)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001130634
  Хімія, фізика та технологія поверхні    А - 2022  /     Випуск (2020, Т. 11, № 2)

Карась М. І., Карачевцева Л. А., Онищенко В. Ф.
Особливість релаксації поверхневої фотопровідності в структурах макропористого кремнію у видимій області спектра

Бібліографічний опис:
Карась М. І., Карачевцева Л. А., Онищенко В. Ф. Особливість релаксації поверхневої фотопровідності в структурах макропористого кремнію у видимій області спектра. Хімія, фізика та технологія поверхні. 2020. Т. 11, № 2. С. 228-234. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001130634

English  Chemistry, physics and technology of surface   /     Issue (2020, 11 (2))

Karas M. I., Karachevtseva L. A., Onyshchenko V. F.
Peculiarities of surface photoconductivity relaxation in the structures of macroporous silicon in the visible spectrum

Cite:
Karas, M. I., Karachevtseva, L. A., Onyshchenko, V. F. (2020). Peculiarities of surface photoconductivity relaxation in the structures of macroporous silicon in the visible spectrum. Chemistry, physics and technology of surface, 11 (2), 228-234. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001130634 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна