Особливості виготовлення CdTe p-n-переходів та транспорт носіїв заряду в них / Ворощенко А. Т., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Ткачук А. І., Кравецький М. Ю., Луцишин І. Г., Матіюк І. М. (2017)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138332
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Б - 2020 /  Випуск (2017, Вып. 52)
Ворощенко А. Т., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Ткачук А. І., Кравецький М. Ю., Луцишин І. Г., Матіюк І. М.
Особливості виготовлення CdTe p-n-переходів та транспорт носіїв заряду в них
Бібліографічний опис:
Ворощенко А. Т., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Ткачук А. І., Кравецький М. Ю., Луцишин І. Г., Матіюк І. М. Особливості виготовлення CdTe p-n-переходів та транспорт носіїв заряду в них. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2017. Вып. 52. С. 81-90. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138332 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2017, 52)
Voroshchenko A. T., Sukach A. V., Tetorkin V. V., Tkachuk A. I., Kravetskyi M. Yu., Lutsyshyn I. H., Matiiuk I. M.
Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
Cite:
Voroshchenko, A. T., Sukach, A. V., Tetorkin, V. V., Tkachuk, A. I., Kravetskyi, M. Yu., Lutsyshyn, I. H., Matiiuk, I. M. (2017). Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 52, 81-90. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138332 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF